大(da)家在很(hen)多政(zheng)策里都会(hui)看(kan)到这(zhei)样一条：新上光(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)制造项目(mu)(mu)应(ying)满(man)足单晶硅光(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)电(dian)(dian)池(chi)转(zhuan)换(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)(lv)(lv)不(bu)低于(yu)20%、多晶硅光(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)电(dian)(dian)池(chi)转(zhuan)换(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)(lv)(lv)不(bu)低于(yu)18%、薄膜(mo)光(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)电(dian)(dian)池(chi)转(zhuan)换(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)(lv)(lv)不(bu)低于(yu)12%。在此，要(yao)强调(diao)的(de)(de)(de)是“光(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)电(dian)(dian)池(chi)转(zhuan)换(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)(lv)(lv)”和“光(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)组(zu)(zu)件(jian)转(zhuan)换(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)(lv)(lv)”完(wan)全是两个(ge)概(gai)念。一般，60片(pian)或(huo)72片(pian)光(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)电(dian)(dian)池(chi)经(jing)过串并联后，封(feng)装(zhuang)后制作成(cheng)光(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)组(zu)(zu)件(jian)。由于(yu)电(dian)(dian)池(chi)片(pian)之间(jian)的(de)(de)(de)差异和封(feng)装(zhuang)过程，转(zhuan)换(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)(lv)(lv)肯定会(hui)降低。因此，光(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)组(zu)(zu)件(jian)的(de)(de)(de)转(zhuan)换(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)(lv)(lv)肯定要(yao)低于(yu)电(dian)(dian)池(chi)片(pian)的(de)(de)(de)转(zhuan)换(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)(lv)(lv)。光(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)组(zu)(zu)件(jian)的(de)(de)(de)技(ji)术规格(ge)书中，都会(hui)清楚的(de)(de)(de)标(biao)明(ming)这(zhei)一型号组(zu)(zu)件(jian)的(de)(de)(de)转(zhuan)换(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)(lv)(lv)。目(mu)(mu)前250W系列的(de)(de)(de)光(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)组(zu)(zu)件(jian)，转(zhuan)换(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)(lv)(lv)大(da)概(gai)在15~16%之间(jian)。之前的(de)(de)(de)文章(zhang)中介绍过光(guang)伏(fu)(fu)(fu)(fu)组(zu)(zu)件(jian)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)(lv)(lv)的(de)(de)(de)计(ji)算方(fang)法，这(zhei)里再说(shuo)明(ming)一次吧(ba)。